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【图文简介】图1以MoTe2器件为例验证SBFET模型a)在室温下测量的MoTe2器件的漏极电流-栅极电压特性曲线(红色空心圆)，兰州蓝线表示根据SBFET模型的模拟结果，兰州内插为该装置的相应光学显微镜图像，三种不同电荷载流子注入模式标记为i-iii。全力d)不同栅极电压下的某一接触端子处的能带示意图。

b)不同偏压下，推进MoTe2器件在SiO2上的全部(实线)和沟道部分(虚线)的漏极电流密度-栅极电压特性曲线。投稿以及内容合作可加编辑微信：新型系统cailiaokefu，我们会邀请各位老师加入专家群。电力文献链接：UncoveringtheConductionBehaviorofvanderWaalsAmbipolarSemiconductors(Adv.Mater.,2018,DOI:10.1002/adma.201805317)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。

负荷数值模拟结果表明肖特基势垒场效应晶体管(SBFET)模型可以完全解释双极性vdWS。建设图3完全置于hBN上的MoTe2SBFET电子特性a)单层MoTe2置于厚hBN上器件的光学显微镜图像。

然而，甘肃供电管理将vdWS完全或部分(仅接触区域)置于惰性hBN层上可抑制这种转变。

然而，兰州在不同vdWS中仍然存在争议的基本问题是其传导行为的真实起源(如传导类型)。洛品有家，全力一家集调研、研发、设计、生产、仓储、销售、配送安装为一体的大型现代化家具企业。

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